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陈廷显:稀有金属和半导体材料冶金工程技术专家
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发表于 2017-8-5 10:52:31
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陈廷显
,
稀有金属和半导体材料专家
。我国开展稀有金属和半导体材料厂设计的主要组织和开创者之一;主持或主管完成几十个国内相关重要工程以及援助罗马尼亚硅半导体材料厂和朝鲜36工程金属提纯厂等项目的设计;主持设计、投产了我国首座硬岩矿提锂的新疆可可托海锂盐厂和西藏扎布耶盐湖碳酸锂厂;主持洛阳单晶硅厂的设计建设,在技术引进的谈判中,成功地争取到有利的详尽的技术条款 ,首次接轨国际通行的“按用户需求分类供货”,提出“联合厂房”等新理念,为促进、发展我国的硅材料工业的发展做出了重要贡献。
陈廷显1929年3月5日出生于吉林省蛟河县(现为县级市)蛟河煤矿一个矿工家庭。他自幼家境贫寒。1948年8月进入吉林工业专门学校补习班学习。1949年9月考入东北工学院采矿系,后转入机电系。1953年8月毕业,统一分配至沈阳原东北工业部有色金属管理局设计公司电力科工作。同年底随设计公司(后更名为北京有色冶金设计研究总院,简称设计院,下同)整体迁至北京。
我国盐矿和盐湖锂资源开发利用的开拓者之一
盐矿锂资源的开发利用
1958年陈廷显主持了他的第一个重点稀有金属建设项目,在乌鲁木齐建设新疆锂盐试验厂生产氢氧化锂,供军事工业提取锂同位素Li6所用。根据当时当地的经济发展情况,采用石灰石烧结法处理锂辉石矿物生产氢氧化锂,不需要任何化工材料,工艺简单,是最合适的方法。但是当时国内没有类似先例,没有相关资料,陈廷显和同事多方请教,多次实验,从无到有,终于于1962年,生产出含53%氢氧化锂的合格产品。
1963年国家要求对新疆锂盐场进行扩建改造,陈廷显和设计组同事通过研究决定把料浆槽的机械搅拌改为空气搅拌,增加料浆槽的容积,延长供料周期,把燃料由煤粉改为重油,降低了煤粉燃烧的渣量,减少了锂的损失,稳定了燃烧状况,进而提高了熟料质量,提高溶出率。改造后的生产实践表明,产能在原回转窑的基础上增加了近两倍,总回收率提高了约15个百分点。同时加强了烧成料的浸出、过滤、洗涤、精制,缩短中间产品空气暴露时间等,提高了氢氧化锂的品级率,满足军工所需产品质量要求。陈廷显为我国含锂硬岩矿提锂厂建设迈出的第一步做出了贡献。
盐湖锂资源开发利用
1990年代末,盐湖卤水提锂兴起,在西藏的扎布耶盐湖卤水中发现含有锂、钠、钾、铷、铯、硼等多种有用资源,其中锂的开发价值最大。2001年,西藏扎布耶锂资源开发利用示范工程被批准列入建设日程。该工程面临的最大挑战是能源缺乏问题,陈廷显为解决能源问题,结合当地气候实际情况,确定冬季利用当地(11月至4月)的冷源“冷冻”制卤,除芒硝、泡碱;夏季(5月至10月)利用太阳能在晒池中蒸发,生成富锂卤水。陈廷显组织工程组考察学习海盐晒场经验,建造了350万m^2的盐田,解决了从未设计过盐田的困难。陈廷显和大家研究利用碳酸锂在温度上升时溶解度下降的特性,最终确定采用单个面积约3000m^2的大面积“盐梯度太阳池”工程化方案,进一步浓缩富锂卤水,析出碳酸锂混盐结晶产品。陈廷显设计的盐湖锂资源开发利用方案使得除盐田盐卤的物流需用柴油发电的动力外,工艺过程全部利用太阳能,是一大创新。得到碳酸锂混盐产品的在品位75%左右,总回收率可达70%以上。
2008年工程竣工,标志着我国的锂工业从高成本的硬岩矿提锂,转化为低成本的盐湖提锂新的里程碑。
为我国硅材料工程的设计建设做出重要贡献
批量“生产”硅材料厂
1960年春,国家要求批量建设硅材料厂,陈廷显主持了这批以项目多、时间紧为特点的工程的设计,他与设计组想方设法将厂房做成“通用设计”,再因地制宜配套辅助工程,该设计满足了进度要求,这批设计完成的工程建设中的上海第二冶炼厂硅材料车间后来成为硅材料生产的骨干企业。1964年,陈廷显参与冶金部的选厂小组,按照当时“靠山、隐蔽、分散”的建设方针,赴川考察,最终确定四川峨嵋为三线迁建厂厂址,随后集中北京有色研究院硅材料研究室和沈阳冶炼厂高纯金属车间的技术队伍和装备一起迁到四川峨嵋,建立代号为739的峨嵋半导体材料厂。陈廷显带领设计队伍用一年时间克服了重重困难,出色地完成了迁建任务。
创新“生产”洛阳单晶硅厂
1965年,停滞的一五计划中的单晶项目重新启动,陈廷显负责当时国内首家世界水平的单晶硅厂设计,厂址设在洛阳。洛阳单晶硅厂设计率先打破了“大而全”或“小而全”的苏联式建厂模式,将工厂建在市区,借助洛阳城市、工业等基础设施条件,充分利用地方公共资源减少投资费用,方便了生产和职工生活;厂房设计实现了“联合厂房”和露天配置的创新,几乎所有辅助设施全部集中在两个厂房内,氯化氢与三氯氰硅合成设施工序全部露天配置,既可节省用地、建筑面积和管线长度,又能减少人员配备、降低建设造价和生产成本;同时争取施工方支持,在土建工程中采用24米大跨度后张预应力T型屋面板梁,主厂房采用爆扩桩基础等新技术。陈廷显作为项目设计总负责人,与“日本窒素株式会社”进行技术谈判,经过三个多月艰难博弈,终于在8月签署了共18章、9个附件、近250项保证指标的技术合同,并附有考核方法和评定标准等。该项目,采用国际通行按用户需求提供硅片的新模式。
洛阳单晶硅厂是当时我国首个产能与世界工业规模相当、产品质量达世界先进水平的半导体硅材料厂,它的投产满足了我国发展电子工业的需求。投产后的结果也证明,合同条款规定得全面、严格细致,比较完善;供货、建厂模式以及厂房配置理念从此得到业界认同,陈廷显为之做出了重要贡献。
近年来全球太阳能产业兴起,带动了国内多晶硅产业的迅速发展。陈廷显还继续为我国多晶硅产业的发展发挥余热。
简 历
1929年3月5日 出生于吉林省蛟河市(原为蛟河县);
1949~1953年 东北大学(原东北工学院)先后在采矿和机电系学习;
1953年8月 毕业后分配到冶金工业部沈阳有色局设计公司(当年底迁到北京,更名为北京有色冶金设计研究总院)电力科工作;
1953~1989年 历任技术员、副科长、工程师、设计队长、稀有室副主任、教授级高级工程师、院副总工程师;
1989年11月 离休,返聘至2004年底。
著 作
1 万 群、陈廷显.国外半导体硅材料生产现状,国外稀有金属动态,第18期
2 万 群、陈廷显,等.丹麦、美国半导体硅材料生产.冶金工业部情报研究总所,四川省冶金情报标准研究所 冶考,81—55
3 万 群、陈廷显,等.赴苏联多晶硅技术考察报告,1988,2
4 陈廷显.多晶硅产业发展和环境保护的几个问题.电子信息材料.2006(12).19~23
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